Может быть поговорим о транзисторах и оптопарах?
Обычно я в таких случаях замеряю коэффициент усиления по току. Ту самую "бетта", о которой Вы вспоминали чуть позже.
Правда выводы Ваши были неверны, но обо всём по порядку.
Для того, чтобы биполярный транзистор вошёл в насыщение (чтобы сомкнулись зоны переходов КБ и БЭ), надо добиться генерации достаточного количества носителей на управляющем переходе (обычно это БЭ-переход). При малом коэффициенте усиления биполярный транзистор так и останется в активном режиме. С большим падением напряжения КЭ и большой выделяемой на ключе мощности.
Так что полярность лучше соблюдать.
Это не так. Можете экспериментировать.
Теперь про оптопары.
Оптопары с одним-единственным транзистором на выходе давно никто не применяет. Ставят ключи на составных транзисторах, для которых обратная полярность включения смерти подобна. Поэтому повторю - полярность включения лучше соблюдать.
А в последнее время получили распространение оптопары с симметричным встречно параллельным включением выходных каскадов на составных и IGBT транзисторах. Настолько широкое распространение, что производство прежних изделий практически прекращено.
С уважением, всегда Ваш.
PS
А если ещё вспомнить, что биполярных транзисторов с обратным напряжением БЭ выше 5-6 Вольт очень мало, то...






Ответить с цитированием