при росте кристаллов сама технология предусматривает строгое соблюдение градиентов температурного поля.
там между верхушкой расплавленного образца(заготовки) кристалла и непроплавленным дном заготовки градиент порядка 80°с
а верхушка расплавленной поверхности должна иметь радиальный градиент не более 0,5°с (на практике получалось и 0,2°с).
сам образец в тигле находился в запаянной колбе из кварцевого стекла.
естественно температура контролировалась в различных точках поверхности колбы с определенными поправками.
там у нас шло одновременное управление тремя нагревателями с многоконтурными обратным связями от различных точек поверхности образца с выдержками и заданным законом движения температурного поля по кристализуемому образцу.
в объекте регулирования было сильное взаимовлияние тепловых потоков нагревателей верхушки образца и нагревателей дна образца и общего фонового нагревателя.
нагреватели имели сложную конструкцию и имели не малую инерционность.
все температуры на образцах и на нагревателях контролировали термопарами.
все это поверхностная теория с реализацией и конкретикой все значительно сложней.


тут тоже пайка будет контролироваться термопарами, а вот с системой управления пока не определились т.к. не до конца разработана архитектура и математическая модель управления объектом.

в обычных стандартных печах не могут получить качественной пайки.