Аналоговый выход ПЛК160 и твердотельное реле.

[Ryzhij]

SSR3-120DA - это ТТР со входом другого типа и имеет ток управления 0 ... 40 мА и напряжение управления 3 … 32 В. Для этого ТТР моя схема тоже подходит. В худшем случае на эмиттерном повторителе будет рассеиваться:
(12-10)*0,04 = 0,08 Вт. Разве это много ?

Т.е. Вы обсчитываете схему, требующую ещё одного источника питания, и при этом продолжаете утверждать, что она лучше, проще и дешевле в применени?
В эмиттере, кстати, даже без диода Шоттки, 10 Вольт не будет никогда.
Не надо жульничать по мелочам.

[Ryzhij]

Если речь идет действительно о ТТР SSR3-120DA, то можно сделать так, как показано во вложении. И никакого лишнего огорода не надо...

Осталось поинтересоваться, на какой коэфициент усиления по току в ключевом режиме у применяемого транзистора Вы так смело закладывались, что решили обойтись только одним каскадом?

[rovki]

Как то странно говорить о коэффициенте усиления в ключевом режиме ,ни кажется Вам,если транзистор находится в насыщении ,а если не в насыщении ,то это не ключевой режим ....

[IVM]

Т.е. Вы обсчитываете схему, требующую ещё одного источника питания, и при этом продолжаете утверждать, что она лучше, проще и дешевле в применени?
В эмиттере, кстати, даже без диода Шоттки, 10 Вольт не будет никогда.
Не надо жульничать по мелочам.

Применять эмиттерный повторитель для ТТР SSR3-120DA можно, но не нужно. Для этого случая я привел другую схему. Напряжение на выходе эмиттерного повторителя: Uвых = Uвх - 0,6.

[IVM]

Осталось поинтересоваться, на какой коэфициент усиления по току в ключевом режиме у применяемого транзистора Вы так смело закладывались, что решили обойтись только одним каскадом?

Ryzhij, Вы, вроде, толковый инженер, но если будете писать такие глупости, то я поменяю свое мнение. Коэффициента усиления в 100 единиц хватит за глаза чтобы транзистор вошел в глубокочайшее насыщение при имеющихся входном и выходном токах.

[Ryzhij]

Ryzhij, Вы, вроде, толковый инженер, но если будете писать такие глупости, то я поменяю свое мнение. Коэффициента усиления в 100 единиц хватит за глаза чтобы транзистор вошел в глубокочайшее насыщение при имеющихся входном и выходном токах.

Не надо опять срываться до хамства, любезный IVM.
Иначе Вы так и не узнаете, что коэфициент усиления по току у биполярного транзистора при расчёте каскада в ключевом режиме принимается равным 10, редко 20. И только для супер-бетта транзисторов иногда закладываются на 30-50.
Возьмёте больше - схема не будет корректно работать в области пониженных температур, или Вам потребуется радиолюбительский подбор приборов по параметрам.
Заявленная Вами сотня даже при +25 гр.Ц не у каждого транзистора будет.
Если мне не изменяет память, то нагрузка аналогового выхода по напряжению д.б. не менее 200 кОм.
Вот и получается, что менее чем двумя каскадами никак не обойтись.

[Sergey666]

Извините за вмешательство , но схема IVM с одним транзистором представляет собой включение типа "эмитерный повторитель" , а не ключевой режим .
для ключевого режима надо-бы транзистор "перевернуть" .
Ваш спор со стороны наблюдать прикольно , такое впечатление что глухой со слепым спорят.
Для открытия транзистора , надо открыть переход Б-Э , в схеме IVM , переход сей открывается через схему ТТР .
Ryzhij прав , схема бредовая ...Без резисторов подпирающих и завязки выхода с дополнительным источником питания работать не будет ,а если и будет , то хреново.

[Ryzhij]

Как то странно говорить о коэффициенте усиления в ключевом режиме ,ни кажется Вам,если транзистор находится в насыщении ,а если не в насыщении ,то это не ключевой режим ....

Ничего странного.
Коллекторный ток ведь всё равно больше базового во сколько-то раз?
Есть только особенности
При усилении слабых сигналов в расчёт берётся динамический коэфициент усиления (угол наклона характеристики, производная, в рабочей точке), а в сильноточном режиме оперируют статическим коэфициентом (угол наклона прямой, проведённой через точки отсечки и насыщения).

[Ryzhij]

Извините за вмешательство , но схема IVM с одним транзистором представляет собой включение типа "эмитерный повторитель" , а не ключевой режим .
для ключевого режима надо-бы транзистор "перевернуть" .
Ваш спор со стороны наблюдать прикольно , такое впечатление что глухой со слепым спорят.

"Па-а-азвольте! У меня все ходы записаны!"
Участник IVM настолько... э... плодовит, что опубликовал уже четыре схемы. Первая и третья - эмиттерные повторители, вторую классифицировать не берусь, а четвёртая - ключевой каскад с общим эмиттером.

[rovki]

Ничего странного.
Коллекторный ток ведь всё равно больше базового во сколько-то раз?
Есть только особенности
При усилении слабых сигналов в расчёт берётся динамический коэфициент усиления (угол наклона характеристики, производная, в рабочей точке), а в сильноточном режиме оперируют статическим коэфициентом (угол наклона прямой, проведённой через точки отсечки и насыщения).

Иногда ток базы может оказаться слишком большим. В результате мощности питания просто не хватит для обеспечения такой величины тока коллектора, которая бы соответствовала коэффициенту усиления транзистора. В режиме насыщения ток коллектора будет максимальным, который может обеспечить источник питания, и не будет зависеть от тока базы. В таком состоянии транзистор не способен усиливать сигнал, поскольку ток коллектора не реагирует на изменения тока базы.

В режиме насыщения проводимость транзистора максимальна, и он больше подходит для функции переключателя (ключа) в состоянии «включен». Аналогично, в режиме отсечки проводимость транзистора минимальна, и это соответствует переключателю в состоянии «выключен»
Причем тут слаботочные\сильноточные ,когда речь шла о КЛЮЧЕВОМ режиме.Не нужно выкручиваться .Была оговорка ,так и надо сказать ,с каждым может случится.
Кроме того, не корректно говорить о ключевом каскаде ,потому как и усилительный каскад выглядит точно так же .Нужно говорить о схеме включения с общим эмиттером .А уж в каком усилительном или ключевом режиме будет работать каскад зависит от выбранных номиналов резисторов .