А я всегда думал, что RETAIN - Это не физическая область, а логическая. Т.е. при выключении область RAM пишется в EEPROM (или еще куда нибудь), а при включении - обратно. Меньше циклов на EEPROM, при бесконечном цикле перезаписи в RAM. Кроме как RETAIN и не назовешь!
Сообщаю вам что уже более 20 лет флеш память имеет очень большое количество циклов перезаписи и встроенную систему которая равномерно перезаписывает не нагружая ячейки.Сообщение от EFrol
цитата с википедии: На сегодняшний день классическая двухтранзисторная технология EEPROM практически полностью вытеснена флеш-памятью типа NOR (на элементах ИЛИ-НЕ). Однако название EEPROM прочно закрепилось за сегментом памяти малой ёмкости независимо от технологии.
По сути в устройствах овен находится микроконтролер и физически как я подозреваю все виды данных находятся в нем. Если нужен больший обьем то ставят отдельную флешку которая стоит копейки, и меньше гига уже вообще найти почти невозможно. Да и в самих современных контроллерах памяти очень даже дофига. Уж точно не 1 килобайт для неких переменных.
Да, было такое, раньше оперативу с батарейкой использовали для постоянного хранения данных которые часто меняются. Сеёчас помоему уже никто так не делает.
Ваши права
Ответить с цитированием